High Power Bias Tee 500 MHz–6 GHz mit 100 Watt Eingangsleistung
Der High Power Bias Tee für den Frequenzbereich 500 MHz bis 6 GHz ermöglicht die gleichzeitige Übertragung von DC-Spannung und RF-Signalen über eine gemeinsame Leitung. Mit einer Eingangsleistung von 100 Watt CW und SMA-female Anschlüssen eignet sich diese Komponente für anspruchsvolle RF-Anwendungen in Kommunikationssystemen, Defense und Testumgebungen.
Technische Spezifikationen
- Frequenzbereich: 500 MHz bis 6 GHz
- Eingangsleistung: 100 Watt CW (Continuous Wave)
- Einfügungsdämpfung: 0,75 dB (maximal)
- VSWR: 1,3:1 (maximal)
- RF/DC-Isolation: Mindestens 50 dB
- DC-Strom: 7 A maximal bei 250 V maximale Spannung
- Anschlusstyp: SMA-female
Anwendungsbereiche
- 5G/6G & Telekommunikation: Testumgebungen für Mobilfunkstandards mit externer Spannungsversorgung aktiver Komponenten
- SATCOM & Defense: Hochleistungs-Applikationen in Satellitenkommunikation und militärischen RF-Systemen
- RF-Messtechnik: HPA- und LNA-Versorgung in Testketten sowie Funkfrequenz-Messaufbauten
- Aktive Antennensysteme: Versorgung von Verstärkern und aktiven Antennenkomponenten
Die geringe Einfügungsdämpfung von maximal 0,75 dB gewährleistet eine hohe Signaleffizienz, während die RF/DC-Isolation von mindestens 50 dB unerwünschte Signalrückflüsse auf die DC-Versorgung verhindert. Diese Eigenschaften machen den High Power Bias Tee zur zuverlässigen Lösung für leistungsintensive RF-Applikationen.
bq-microwave vertreibt als europäischer Distributor eine umfangreiche Produktpalette an Bias Tees für verschiedenste Anforderungen. Für weitere Informationen steht unser Team unter Kontakt zur Verfügung.